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千赢游戏官网手机版:中国芯取得重大突破,发力存储器DRAM

3月3日讯
近日,全球排名第三的三大存储器厂商美国美光传出消息,为了全力聚焦DRAM和NAND两大业务,美光计划将重心专注在应用快速成长的DRAM和储存型快闪存储器,出售NOR
Flash芯片事业,将战力集中在提升DRAM和NAND芯片市场占有率。

姓名:高帆

由于近期全球存储器产业链上游的晶圆片供应吃紧,且原本将NOR芯片用来填补产能的晶圆厂,已全力转进需求快速成长的手机、网通、电源管理及其他应用逻辑芯片,挤压NOR
Flash产能,加上全球NOR市场占有率最大的美光的退出,已经可以预见NOR芯片供货短缺。消息人士透露,美光已对主要客户发出退出NOR事业通知,要客户提早因应,引起相关应用大厂纷纷紧急转寻替代供货来源,以免影响后续新产品上市。

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据悉,近年来因为业务不断整合,目前美光NOR
Flash业务在集团整体营收占比不高,产能上不具备经济效益,所以计划出售,对美光专注经济效益更高的DRAM和NAND存储器颇为有利。资料显示,美光在2010年耗资12亿美元收购恒亿获得了后者NOR
Flash相关技术和市场,曾一度获得该类产品全球市场占有率第一的成绩。

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业内专家表示,美光此举必然是为了收缩产品线,集中精力发展目前最火热的DRAM和3D
NAND存储器,介于目前市场上三大存储器厂商产能有限,且供需不平衡的情况在短期内无法解决,美光率先做出反应,有利于营收和市场占有率的进一步提升。

【嵌牛导读】:中国身为全球最大的半导体市场,但半导体芯片却高度依赖进口,以需求量最大的
DRAM 和 NAND Flash 芯片为例,9
成以上都依靠国外厂商。如今,中国企业在“中国芯”上的奋发,究竟能否石破天惊打破国际大厂的垄断?这问题的答案,将决定未来十年中国存储产业的命运。

事实上,去年年末,美光就正式收购全球存储器第四厂商台湾华亚科,并加大在台湾投资,今年开年更是动作频频,积极打造台湾DRAM生产中心,其位于台中的厂房也正在导入更为先进的10纳米世代的制程。除此之外,美光还在积极增加美国生产基地、日本广岛分公司等投入,增强自身的产能和技术。

【嵌牛鼻子】:半导体芯片 DRAM  NAND Flash 垄断 中国芯

随着全球智能手机、大数据、物联网、无人驾驶汽车、云计算、服务器等智能应用的不断膨胀及市场对更大容量、更快速度的存储部件的需求越来越大,DRAM存储器、NAND芯片的市场容量在不断上涨。事实上,目前仅仅因为智能手机市场的增长,广泛应用用户手机存储的NAND需求量增长迅速,已经出现全球智能手机产能紧张的情况。而由于全球存储器大厂今年产能还无法在短期内实现扩张,存储器市场合约价持续看涨。

【嵌牛提问】:当下高度依赖进口的中国半导体能否迎来新的生机?敬请期待!

近年来,存储器DRAM市场持续看好,出于产业发展和产业安全的考虑,国内不断发力投入集成电路产业发展浪潮中,在集成电路存储器DRAM产业上也积极布局,暂时形成福建晋江晋华存储器集成电路项目、合肥长鑫、武汉长江存储三大格局。其中,位于福建省晋江市的晋华集成电路存储器项目一期投资370亿人民币,开发先进存储器技术和制程工艺,已纳入国家“十三五”集成电路重大生产力布局规划,欲率先在国内实现集成电路芯片国产化,受到业内广泛关注。

【嵌牛正文】:

以目前全球三大 DRAM 阵营的势力分布来看,三星、SK
海力士、美光的市占率分别为 46%、27%、21%,意即全球 DRAM 芯片有超过 90%
都掌握在韩美两国手上,而中国必须成为全球 DRAM
产业除了韩、美以外的第三大势力,才能平衡产业生态,也才能在全球半导体产业中取得上桌谈判的资格。

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图丨全球三大 DRAM 厂商

千赢游戏官网手机版 ,其实,DRAM 技术的研发,真正的困难点不在技术本身,而是 DRAM
专利都已经被国际大厂牢牢握住,要避开所有现有的专利来进行开发,才是真正的障碍。
即使中国厂商千辛万苦创新突破完成
DRAM 技术研发,很可能还不到量产阶段,就先收到三星、SK
海力士控告专利侵权的律师函。

事实上,美国与韩国大厂以法律当武器恫吓对手的做法,早已是屡见不鲜的事,这几天,美光就针对联电和福建晋华目前仍在研发阶段的
DRAM
技术,在美国提出涉嫌妨碍运营机密的控告。而这并不是美光第一次出手阻止中国厂商的
DRAM 研发计划。

时间拉回 2017
年初的新年前,美光为了防止员工跳槽,趁着这批人回家过年时,在台湾提出妨碍营业机密诉讼,进行大规模约谈,并对其中部份人员限制出境。这个消息当时震惊了存储半导体产业,让人见识到美国大厂强悍作风,但在其中,却也嗅得出美光对于中国存储芯片产业超高度防备警戒。

也因为如此,福建晋华、合肥睿力两大 DRAM
技术阵营从一开始,就维持极为低调的行事风格,关起门来专心研发。

但现在这两大阵营的难处在于,研发初期的设定主要是参考和模拟美光 DRAM
的技术和流程,由于美光设下天罗地网的法律手段吓阻任何可能的技术抄袭,让福建晋华与合肥睿力都必须规避美光的设计,改走韩系大厂路线,但这样的转变,挑战相当大,会不会导致研发和量产时程延后,恐要进一步观察。

但是,美光等大厂的担心不是没有道理的,2017
年底,中国存储产业传出的长江存储成功研发 32 层 3D NAND
芯片的好消息,让国际大厂感受到实实在在的压力。

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2017 年 11 月初,紫光旗下的长江存储投入研发将近两年的 3D NAND
芯片,在搭配 NAND Flash 控制芯片置入
SSD,且连接上终端系统后,该系统成功“动”起来。

这惊天一“动”,背后代表的意义,是首颗中国制的 3D NAND
芯片成功通过终端产品的测试,宣告研发成功,中国存储产业向前迈进了一大步。
这样的消息,或许可以解读为长江存储投入研发
3D NAND
芯片的初步成功,但也不要太快陷入骄傲的迷思里,因为距离实际的成功,仍有一段很长的路。

首先,长江存储研发的这颗 3D NAND 芯片是 32
层技术,对比三星电子、美光、东芝、SK 海力士主流的 64 层和 72
层技术,还有一段距离,而这些国际大厂在 2018 年即将大步跨入 96 层 3D NAND
技术,驱动芯片的密度提升、成本再下降。

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图丨长江存储竞争对手技术推进时间表

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